中电科二所激光剥离设备实现大尺寸工艺迭代

中电科二所激光剥离设备实现大尺寸工艺迭代

“十四五”时期是我国开启全面建设社会主义现代化国家新征程的第一个五年，是国家半导体产业发生革命性转变的关键时期。中国电子科技集团公司第二研究所肩负“大国重器”、“人工智能、半导体核心装备自主可控”的历史使命，积极响应习近平总书记号召，围绕产业链部署创新链，围绕创新链布局产业链，以科技创新引领产业发展，以大国重器铸造国芯基石。

激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。激光剥离可用于碳化硅、氮化镓、金刚石等硬脆半导体材料加工，实现衬底成本的大幅降低，亦可扩展至电力电子与微波射频芯片制造、异质材料复合衬底制造、集成电路先进封装等领域，实现晶圆减薄、解键合等先进工艺，支撑国防军工、下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业的创新发展及国家安全、新基建、双碳经济等国家重大战略的实施，被誉为半导体材料制备领域的“光刻机”。

激光剥离项目是中国电子科技集团公司第二研究所针对第三代半导体产业发展痛点与难点遴选的首批“揭榜挂帅”项目之一，国内多家科研团队踊跃组团揭榜，项目揭榜立项后，团队紧锣密鼓开展技术攻关，从工艺摸索到设备研制，成员夜以继日奋战在科研一线，放开手脚发挥创新潜能。功夫不负有心人，目前，团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离，取得突破性进展。下一阶段，激光剥离项目将以“大尺寸化、快速生产化、高良率化、全自动化、低能耗化”为目标，迅速开展由碳化硅晶锭至合格衬底片的自动化设备贯线，真正解决国家第三代半导体关键技术问题，为国家发展贡献力量。

声明：本文版权归原作者所有，转发仅为更大范围传播，若有异议请联系我们修改或删除：zhangkai@cgbtek.com