SEMI化合物半导体汽车应用发展研讨会圆满举办

由SEMI中国、芜湖市人民政府主办，芜湖高新技术产业开发区管委会、芜湖市发展和改革委员会承办的“化合物半导体汽车应用发展研讨会”于2022年9月6日在芜湖华邑酒店举行。

化合物半导体因其在高功率、高频率等方面特有的优势，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中有着不可替代的地位。碳化硅器件在汽车充电桩、驱动器等领域发挥着巨大潜力。另外，得益于氮化镓功放效率高、功率密度大等优势，也逐渐向车载充电器、汽车逆变器、激光雷达延伸。化合物半导体在汽车上的应用比重显著提升。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙在开幕致辞中说道：“很开心再次来到芜湖，让我有一种回家的亲切感。”在疫情的不确定影响之下，大家再次齐聚一堂非常有缘分。

芯片是数字经济的核心，是现代化经济的基石。从智能手机、汽车到医疗保健、能源、通信和工业智能化的关键应用与基础建设，芯片是不可或缺的部件。这是一个“无芯不能，无处不芯”的时代，未来是科技竞争的时代，半导体产业是战略高地。经过过去数年的增长，全球半导体销售额今年将超过6000亿美元。目前在有些领域尤其是消费电子，今年或明年成长的脚步将减缓或呈现负增长。但由于各种智能应用创新的驱动，产业将持续成长，预测在2030年实现1万亿美元的销售额。今后数年，汽车芯片领域是成长最快速的版块，这个趋势给化合物半导体包括SiC器件及GaN产品带来巨大的市场成长空间。

SEMI China 平台涵盖了设计制造到封装测试并连接供应链、人才链、创新链的全球优质资源，配合资本链、政策链“多链协同”，协助推动中国半导体产业发展。

芜湖市高新区党工委书记、管委会主任、弋江区委书记陈海俊在欢迎辞中表示本次研讨会汇聚了众多权威专家学者和知名企业代表，既是一次聆听专家声音、碰撞思想火花的知识盛宴，也是一次深化沟通交流、促进互利共赢的合作盛会，必将对区微电子及第三代半导体产业向产业化、高端化发展产生更为积极的带动引领。

先导稀材科技集团有限公司 首席行业专家  苏小平

会议由先导稀材科技集团有限公司首席行业专家苏小平先生主持。来自苏州晶湛、纳微半导体、广东晶科电子、星星充电、芯塔电子、长飞先进、博升光电、EPC的专家参加本次研讨会并做报告分享，产业界近110名嘉宾出席了本次会议。

苏州晶湛半导体有限公司 董事长兼总裁 程凯

苏州晶湛半导体有限公司董事长兼总裁程凯介绍应用于功率器件的GaN材料进展。程博士提到GaN功率器件的市场机遇和未来展望。他也提到了高质量300mm GaN-on-Si HEMT外延系列产品涵盖200V, 650V 以及1200V 功率应用，并且拥有低至 0.3%的厚度不均匀性与低于50μm的全片翘曲。

纳微半导体 高级总监 孙浩

纳微半导体高级总监孙浩向大家阐述氮化镓器件在电动汽车应用中的未来展望。电动汽车市场的持续爆发为GaN应用带来了诸多机遇。GaN的快速和低开关损耗可以提高开关频率，提高产品的功率密度。孙总提到纳微半导体未来将专注于大功率应用。

广东晶科电子股份有限公司 车规LED事业部产品总监  何贵平

广东晶科电子股份有限公司的车规LED事业部产品总监何贵平介绍了车用智能照明发展趋势及封装技术解析。LED光源作为当今最主流的光源形态，如何满足智能车灯发展趋势，晶科电子交出了满意的答卷。在演讲中，晶科电子展示了分立式大功率LED光源、集成式高像素LED光源及正在预研的Mini/Mirco LED前灯光源方案并做了深度的技术剖析。针对ISD智能交互尾灯及智能氛围灯，晶科电子也展示了创新的面光源及Smart RGB LED等。

星星充电 设计质量保证中心总经理 江伟石

星星充电设计质量保证中心总经理江伟石详细探讨了碳化硅在充电桩的应用。江总详细阐述了影响充电行业的发展的因素、充电桩未来的市场预估、应用发展趋势，也引申出对于使用功率器件碳化硅可以给充电桩带来的好处。江总针对11kW/22kW/30kW/50kW/60kW可以使用什么拓扑设计，选择SiC器件的规格也做了推荐。

安徽芯塔电子科技有限公司 总经理 倪炜江

安徽芯塔电子科技有限公司总经理倪炜江详细探讨了碳化硅功率器件在新能源汽车中的机遇。随着新能源汽车市场规模不断扩大，相应的产业生态正快速发展。倪博士详细阐述了SiC如何在新能源汽车主逆变器、电机驱动系统、DC-DC、车载充电器（OBC）以及非车载充电桩等领域迎来的发展机遇及最大化体现SiC材料优势的应用方案，同时也展示了芯塔电子功率器件产品，尤其是第二代SiC MOSFET最新研究成果。

安徽长飞先进半导体有限公司  研发总监  钮应喜

安徽长飞先进半导体有限公司研发总监钮应喜介绍新能源汽车用碳化硅器件关键技术进展。随着新能源汽车的发展，对功率密度、续航能力、充电速度的要求越来越高，硅基功率芯片基本已逼近其物理极限，如工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、开关速度等。迫切需要碳化硅器件实现替代，提升汽车性能。尤其电压平台从400V左右升级到800V，1200V的碳化硅MOSFET器件将成为新能源汽车的最佳选择。

博升光电科技有限公司 研发副总裁  王嘉星

博升光电科技有限公司研发副总裁王嘉星详细探讨了面向激光雷达应用的高功率VCSEL阵列。王嘉星博士介绍了VCSEL在车载上的应用尤其在车载激光雷达方向的应用。高功率多节VCSEL阵列在可量产性，成本方面极具优势是下一代全固态激光雷达的理想光源。王博士介绍了博升光电在多节VCSEL方面的进展, 博升6节905/940nm高功率VCSEL可达到最高4000W/mm2的光功率密度，同时保持小于24度的发散角。