国家第三代半导体技术创新中心召开 第一届理事会第一次会议

国家第三代半导体技术创新中心召开 第一届理事会第一次会议

9月23日，国家第三代半导体技术创新中心（以下简称国创中心）在京召开第一届理事会第一次会议，标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。科技部有关领导，北京、山西、湖南、江苏、深圳等地方政府负责同志，中国电子科技集团有限公司（以下简称中国电科）主要负责同志出席会议。

会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划（建议稿）》，审议通过了第一届理事长、副理事长、理事，专家委员会主任、成员，国创中心主任人选，并听取了国创中心前期工作汇报。

国创中心由科技部批复同意建设，旨在瞄准国家战略需求，统筹全国优势力量，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，推进各类相关创新主体和创新要素有效协同，输出高质量科技创新成果，培育发展新动能,推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。

国创中心按照“一体统筹规划、多地分布布局、协同联动创新”和“存量带动增量”的建设思路，在科技部的统一指导下，由中国电科与相关省市协商设立，布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等六个区域中心，有效衔接政府支持和企业需求，联合行业龙头企业，协同全国50余家科研机构，初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。目前，已聚集第三代半导体领域多个院士团队，行业领军人才50余名，形成500多人规模的专职团队，聚焦产业链薄弱环节重点发力，取得了阶段性进展和成效。

会议以“现场+视频”形式举行。北京、山西、江苏、湖南、深圳、南京、苏州等地有关部门负责人，国创中心相关建设单位负责人参加会议。

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